一、三极管导通问题

所谓的导通就是指三极管的CE之间有较明显的电流(不是漏电流)通过

看你的样子,应该学过模电,计算过共射电路静态工作点,包括Uce电压之类的参数吧,但不知道你发现没有,当三极管处于放大状态时,Uce的数值是比较大的,而在饱和状态下,这个值大概只有0.3-1V作用的样子。而三极管的管耗计算公式是:Pc=Ic*Uce,因而可以看出,在放大状态时,三极管自身会损耗大量的能量(电能转化为热能),这个热能会导致三极管的温度急剧上升,破坏三极管的优良性能,减少寿命,严重者会导致三极管发生热击穿而损坏。散热问题在大功率三极管设计时是设计者需要高度重视和解决的问题。

使用饱和和截止状态作为开关,可以大大减少三极管温升现象,对于安全应用三极管有很大意义。(与安全相比,节能是第二位的)。

二、三极管导通指的是放大状态还是饱和状态

除了截止状态状态,其余都是导通状态,包括放大状态和饱和状态,要强调饱和必须说是“饱和导通”。

三、三极管导通原理

首先工作状态是 :发射结正偏,集电结反偏。

截止:指iB≤0,iC≤ICEO的工作区域。在这个区域中,电流iC很小,基本不导通,故称为截止区。工作在截止区时,晶体管基本失去放大作用。

饱和:指输出特性中iC上升部分与纵轴之间的区域。饱和区特性曲线的特点是固定iB不变时,iC随uCE的增加而迅速增大。

详细点的话也说不好   视频:

自己看看把

放大:输出特性上在饱和区和截止区之间的区域为放大区。在这个区域里,iB>0,uCE>uBE,即发射结是正向偏置,集电结是反向偏置

四、三极管的导通是什么意思?

首先,截止区用于表示数字电位0是没有问题的

对于放大区还是饱和区表示1还是值得商榷的,在数字电路中,好像是不论是晶体管还是MOS管,其正常的工作状态只有两种,即饱和区与截止区,只有用于放大的管子才主要工作于放大区

FYI

五、三极管工作导通状态

NPN型三极管和PNP型三极管的导通条件,晶体管的工作区域可以分为三个区域:

截止区:

其特征是发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置。对于共射电路,UBE<=UON且UCE>UBE

。此时iB=0,而iC<=ICEO。小功率硅管的iCEO+在1uA以下,锗管的iCEO小于几十微安。因此在近似计算时认为晶体管截止时的iC=0。

2.放大区:

其特征是发射结正向偏置(UBE大于发射结开启电压UON)且集电结反向偏置。对于共射电路,UBE>UON且UCE>=UBE

(即UC>UB>UE)。此时的,iC几乎仅决定于iB,而与UCE无关,表现出iB

iC的控制作用,iC=βiB。在理想情况下,当iB按等差变化时,输出特性是一组横轴的等距离平行线。(简单的说对于NPN型管子,是C点电位>B点电位>E点电位,对PNP型管子,是E点电位>B点电位>C点电位,这是放大的条件.)

3.饱和区:

其特征是发射结和集电结均处于正向偏置。对于共射电路,UBE>UON且

UCE

要想使管子饱和导通,则应该(NPN型)Ub>Ue,Ub>Uc;(PNP型)Ue>Ub,Uc>Ub。

在模拟电路中,绝大多数情况下应保证晶体管工作在放大状态。

NPN型三极管的开关作用

三极管除了有对电流放大作用外,还有开关作用(即通、断作用),当基极加上正偏压时,NPN型三极管即导通处于饱和状态,灯会亮;反之,三极管就不导通,灯不亮。

六、三极管怎么导通?

从晶体管原理可知,三极管是由背靠背的两只二极管所组成的,但是,你简单的用两只二极管背靠背连接起来那是不行的,这点是由三极管工艺来决定的。简单地说,三极管就好比一个阀门,依npn管为例,如果在管子集电极加上正电压,在发射极接负极的情况下,当给基极加入一个正电压(好比打开阀门),这时三极管就有电流从集电极流向发射极,这就是所谓的导通了。pnp管正好供电电压是与npn管子相反的。